蚀刻损坏的低K电介质材料的修复和强度恢复

摘要

具有表面结合的硅烷醇基团的等离子蚀刻低k电介质材料修复工艺，该工艺包括将该电介质材料的至少一个表面(a)暴露在催化剂下，从而在该催化剂和该表面结合的硅烷醇基团之间形成氢键以获得可与硅烷封端剂反应形成表面结合的硅烷化合物的催化中间体，或者(b)暴露在包含超临界溶剂、催化剂和硅烷封端剂的溶液下，从而在该催化剂和该表面结合的硅烷醇基团之间形成氢键以获得可与硅烷封端剂反应形成表面结合的硅烷化合物的催化中间体。在邻近的表面结合硅烷化合物之间可形成水平网络。该电介质材料可进一步用有机酸处理，从而催化该表面结合的硅烷化合物上的烷氧基基团的水解反应，以形成可通过加热脱去副产物水进行缩合的硅烷醇基团。

主权项

1. 具有表面结合的硅烷醇基团的等离子蚀刻低k电介质材料修复工艺，其包括：(a)将该电介质材料的至少一个表面暴露在催化剂下，从而在该催化剂和该表面结合的硅烷醇基团之间形成氢键，以获得催化中间体；以及(b)用硅烷封端剂处理该电介质材料，从而使该硅烷封端剂与该催化中间体反应形成表面结合的硅烷化合物。