| 发明名称 | 结晶制造装置 | ||
| 摘要 | 提供一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚(11)内配置晶种(14)，对填充于坩埚(11)内的原料(12)进行加热液化，从坩埚(11)的下方朝向上方慢冷却原料(12)，由此使结晶成长，该结晶制造装置具备温度控制机构，其对晶种(14)的附近局部地进行冷却或加热。温度控制机构根据安装在坩埚(11)的外侧的中空构造的罩(17)和在中空部流动的制冷剂的流量调整对温度进行控制。从而，局部地控制晶种附近的温度分布，根据最佳温度条件，使高质量结晶以高的成品率成长。 | ||
| 申请公布号 | CN100510199C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200580005529.1 | 申请日期 | 2005.11.16 |
| 申请人 | 日本电信电话株式会社 | 发明人 | 笹浦正弘;香田扩树;藤浦和夫 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1. 一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚内配置晶种，对填充于所述坩埚内的原料进行加热液化，从所述坩埚的下方朝向上方慢冷却所述原料，由此使结晶成长，该结晶制造装置的特征在于，具备温度控制机构，该温度控制机构包括：安装在配置所述晶种的所述坩埚的外侧的中空构造的罩；进行在中空部流动的制冷剂的流量调整的机构，所述罩的截面积沿着所述制冷剂流动的路径方向而不同，所述温度控制机构对所述晶种的附近局部地进行冷却或加热。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||