| 发明名称 | 膜形成组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种膜组合物，其是用于涂布扩散法的膜形成组合物，能够将更高浓度的杂质扩散到硅片中，而且能够同时形成二氧化硅类被膜。本发明涉及一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，该扩散膜形成在硅片上，用来使杂质元素扩散到该硅片中，该膜形成组合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述杂质元素的氧化物或含该杂质元素的盐、以及(C)成孔剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101479833A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200780024402.3 | 申请日期 | 2007.07.02 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 森田敏郎 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I;C09D171/02(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 1. 一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，所述扩散膜是用来使杂质元素扩散到硅片中，所述膜形成组合物含有：(A)高分子硅化合物、(B)所述杂质元素的氧化物或含所述杂质元素的盐、以及(C)成孔剂。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||