一种InAs纳米晶的制备方法

摘要

本发明公开了一种InAs纳米晶的制备方法，其步骤为：①将In的羧酸盐或InCl₃与高级脂肪酸摩尔比为1∶1～3∶1的混合物，Zn的羧酸盐与十八烯混合，在惰性气氛下加热至190～250℃，形成无色透明的In-ODE复合物，In的浓度为0.003～0.2mol/L，Zn与In的摩尔比为1∶20～3∶1；②将AsH₃用10～15分钟的时间通入In-ODE复合物，在开始通气2～10分钟后，往反应混合物中再次注入十八烯，注射量为初始十八烯体积的1/10～1倍；③20～120分钟后，将混合物温度降至30～60℃；④往反应产物中加入极性小于等于3德拜的有机溶剂和极性大于3德拜的有机溶剂，然后离心沉淀，得到纯净的InAs纳米晶，它可溶于普通的极性较小的有机溶剂，如甲苯、氯仿、正己烷等等。本发明简单而经济，制备的纳米晶具有高度结晶性，尺寸均匀性，良好的光学特性等特点。

主权项

1、一种InAs纳米晶的制备方法，其步骤包括：(1)将In的羧酸盐或InCl3与高级脂肪酸摩尔比为1∶1～1∶3的混合物、Zn的羧酸盐与十八烯混合，In在混合物中的浓度为0.003～0.2mol/L，Zn与In的摩尔比为1∶20～3∶1，在惰性气氛下加热至190～250℃，形成无色透明的In-ODE复合物；(2)将AsH3气体通入In-ODE复合物中，通气时间为10～15分钟，As与In的摩尔比为3∶1～1∶2；通气过程中，(3)在开始通气2～10分钟后，往反应混合物中再次注入十八烯，注入量为初始十八烯体积的1/10～1倍；(4)20～120分钟后，将反应产物温度降至30～60℃；(5)往反应产物中加入极性小于等于3德拜的有机溶剂和极性大于3德拜的有机溶剂，两种溶剂的体积分别为反应产物体积的1～3倍和2～10倍；(6)进行离心沉淀，得到InAs纳米晶。