| 发明名称 | 一种半导体致冷装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体致冷装置，包括有热电堆、铝质的散热件和导冷件，其设计要点在于热电堆上的上导流片外侧与散热件贴合，散热件与上导流片接触端设有极氧化层，热电堆上的下导流片外侧与导冷件贴合，导冷件与下导流片接触端设有阳极氧化层。本实用新型目的是提供一种成本低且散热效率高，致冷效果好的半导体致冷装置。 | ||
| 申请公布号 | CN201269667Y | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200820200121.0 | 申请日期 | 2008.09.02 |
| 申请人 | 胡振辉 | 发明人 | 胡振辉 |
| 分类号 | F25B21/02(2006.01)I | 主分类号 | F25B21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中山市科创专利代理有限公司 | 代理人 | 尹文涛 |
| 主权项 | 1、一种半导体致冷装置，包括有热电堆(1)、铝质的散热件(2)和导冷件(3)，其特征在于所述热电堆(1)上的上导流片(11)外侧与所述散热件(2)贴合，散热件(2)与上导流片(11)接触端设有极氧化层(211)，所述热电堆(1)上的下导流片(12)外侧与所述导冷件(3)贴合，导冷件(3)与下导流片(12)接触端设有阳极氧化层(311)。 | ||
| 地址 | 528403广东省中山市东凤镇和泰工业区置业路11号中山市鸿泰电子有限公司 | ||