| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件(A)包括n型半导体层(2)、p型半导体层(4)和该半导体层(2，4)包夹的活性层(3)。并且，半导体发光元件(A)包括与n型半导体层(2)相接的n侧电极(5)和与p型半导体层(4)相接的p侧电极(6)。n型半导体层(2)和p型半导体层(4)被绝缘层(7)覆盖。另外，绝缘层(7)部分覆盖n侧电极(5)和p侧电极(6)，使各电极(5，6)的一部分露出。n侧电极(5)由以下部分构成：由Al构成并且与上述n型半导体层(2)相接的第一层(51)；和在该第一层(51)上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一种构成的第二层(52)。p侧电极(6)由以下部分构成：由Au构成且与上述p型半导体层(4)相接的第一层(61)；和在该第一层(61)上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一种构成的第二层(62)。 | ||
| 申请公布号 | CN101479861A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200780024519.1 | 申请日期 | 2007.07.03 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 尺田幸男 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种半导体发光元件，其具备：n型半导体层和p型半导体层；由所述n型半导体层和所述p型半导体层包夹的活性层；与所述n型半导体层相接的n侧电极；与所述p型半导体层相接的p侧电极；覆盖所述n型半导体层和所述p型半导体层、且使所述n侧电极和所述p侧电极的各一部分露出的绝缘层，所述n侧电极由以下部分构成：由Al构成且与所述n型半导体层相接的第一层；和在该第一层上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一种构成的第二层，所述p侧电极由以下部分构成：由Au构成且与所述p型半导体层相接的第一层；和在该第一层上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一种构成的第二层。 | ||
| 地址 | 日本京都 | ||