| 发明名称 | 晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底的有源区上方顺序形成栅极氧化层和多晶硅栅极，在邻近于多晶硅栅极的有源区中形成漂移区，以及然后通过向漂移区中同时注入各种类型的杂质离子来以比漂移区的深度分布浅的深度分布形成源极/漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN101477953A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200810190859.8 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李文荣 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种方法，包括：在半导体衬底的有源区上方顺序形成栅极氧化层和多晶硅栅极；在与所述多晶硅栅极的侧面相邻的所述有源区中形成漂移区；以及然后通过向所述漂移区中同时注入第一类型杂质离子和第二类型杂质离子来形成源极/漏极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||