发明名称 |
纳米结晶形成 |
摘要 |
在一实施例中,本发明提供一种在一基材上形成一金属纳米结晶材料的方法,此方法包括:曝露一基材于一预处理工艺,在基材上形成一穿遂介电层,曝露基材于一后处理工艺,在穿遂介电层上形成一金属纳米结晶层,及在金属纳米结晶层上形成一介电覆盖层。此方法更提供形成具有纳米结晶密度为至少约5×10<sup>12</sup>cm<sup>-2</sup>的金属纳米结晶层,尤以具有至少约8×10<sup>12</sup>cm<sup>-2</sup>为佳。在一范例中,此金属纳米结晶层含有铂、钌或镍。在另一实施例中,本发明提供一种在基材上形成一多层的金属纳米结晶材料的方法,此包含:形成数个双层,其中每一双层包含沉积于一金属纳米结晶层上的一中间介电层。某些范例包括10、50、100、200或更多的双层。 |
申请公布号 |
CN101479834A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
申请号 |
CN200780024603.3 |
申请日期 |
2007.06.29 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
N·M·克里什纳;R·霍夫曼;K·K·辛区;K·J·阿姆斯特朗 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陆 嘉 |
主权项 |
1. 一种在一基材上形成一金属纳米结晶材料的方法,其包括:曝露一基材于一预处理工艺;在该基材上形成一穿遂介电层;曝露该基材于一后处理工艺;在该穿遂介电层上形成一金属纳米结晶层;及在该金属纳米结晶层上形成一介电覆盖层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |