发明名称 纳米结晶形成
摘要 在一实施例中,本发明提供一种在一基材上形成一金属纳米结晶材料的方法,此方法包括:曝露一基材于一预处理工艺,在基材上形成一穿遂介电层,曝露基材于一后处理工艺,在穿遂介电层上形成一金属纳米结晶层,及在金属纳米结晶层上形成一介电覆盖层。此方法更提供形成具有纳米结晶密度为至少约5×10<sup>12</sup>cm<sup>-2</sup>的金属纳米结晶层,尤以具有至少约8×10<sup>12</sup>cm<sup>-2</sup>为佳。在一范例中,此金属纳米结晶层含有铂、钌或镍。在另一实施例中,本发明提供一种在基材上形成一多层的金属纳米结晶材料的方法,此包含:形成数个双层,其中每一双层包含沉积于一金属纳米结晶层上的一中间介电层。某些范例包括10、50、100、200或更多的双层。
申请公布号 CN101479834A 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN200780024603.3 申请日期 2007.06.29
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 N·M·克里什纳;R·霍夫曼;K·K·辛区;K·J·阿姆斯特朗
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 陆 嘉
主权项 1. 一种在一基材上形成一金属纳米结晶材料的方法,其包括:曝露一基材于一预处理工艺;在该基材上形成一穿遂介电层;曝露该基材于一后处理工艺;在该穿遂介电层上形成一金属纳米结晶层;及在该金属纳米结晶层上形成一介电覆盖层。
地址 美国加利福尼亚州