具有可调谐能量带隙的半导体器件

摘要

本发明涉及能量带隙可以可逆地改变的半导体器件。本发明的思想是提供一种器件，其基于与在适当寻址时呈现出可逆体积变化的材料机械接触的半导电材料(306)，所述体积可逆变化的材料例如为相变材料(307)。该器件可例如用于发光器件、开关器件以及存储器。通过向相变材料施加局部体积膨胀，半导电材料可以可逆地应变。所得到的半导电材料的带隙变化可用于调谐从例如LED或激光器发射的光的颜色。在其它应用领域中，可控制半导体结的接触电阻，这一特征在存储器和开关中是非常有利的。

主权项

1、一种半导体器件，其中能量带隙可以可逆地改变，该器件包括：半导电材料(306)；相变材料(307)，设置成呈现可逆的体积变化；其中所述半导电材料设置成与所述相变材料机械接触，并且所述体积变化向所述半导电材料施加应力，这导致所述半导电材料的能量带隙变化。