| 发明名称 | 用于形成闪存器件的隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成闪存器件的隔离结构的方法，包括：提供衬底结构，其中形成隧道绝缘层、导电层、以及垫层；蚀刻所述垫层、所述导电层、所述隧道绝缘层以及所述衬底以形成沟槽；形成所述衬底结构之上的第一绝缘层并且填充部分所述沟槽；形成所述衬底结构之上的第二绝缘层；形成所述衬底结构之上的第三绝缘层以填充所述沟槽；使用所述垫层作为抛光停止层而抛光所述第一、第二以及第三绝缘层；去除所述垫层并且同时使所述第三绝缘层凹陷以使所述第一和第二绝缘层突出；以及蚀刻所述第一和第二绝缘层，同时使所述第三绝缘层凹陷以在所述导电层的侧壁上形成保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN100511649C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200610156455.8 | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李承彻;晋圭安 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种用于形成闪存器件的隔离结构的方法，所述方法包括：提供衬底结构，其中形成隧道绝缘层、用于浮动栅的导电层、以及垫层；蚀刻所述垫层、所述导电层、所述隧道绝缘层以及所述衬底的一部分以形成沟槽；在所得结构上形成第一绝缘层并且填充部分所述沟槽；沿着包括所述第一绝缘层的所得结构的轮廓形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层包括高温氧化物层；使用旋涂方法在所得结构上形成第三绝缘层以填充所述沟槽；使用所述垫层作为抛光停止层而抛光所述第一、第二以及第三绝缘层；去除所述垫层并且同时使所述第三绝缘层凹陷以使所述第一和第二绝缘层突出；以及蚀刻所述第一和第二绝缘层到给定厚度且使所述第三绝缘层凹陷以在所述导电层的侧壁上形成包括所述第一和第二绝缘层的保护层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||