发明名称 一种测试金属薄膜室温压入蠕变性能的方法
摘要 本发明公开了一种测试金属薄膜室温压入蠕变性能的方法,采用纳米压痕仪在金属薄膜上通过控制应变率和压入深度,保载后得到位移—载荷曲线,转化为应力—应变率曲线,从而测得表征蠕变性能的应力指数,评价金属薄膜的使用稳定性。这种纳米压痕装置一方面可以精确地测量薄膜的力学性能,其载荷和位移精度分别可达到1nN和0.1nm,另一方面由于这种装置可以连续地施加应力,可以快速、有效地得到载荷—位移曲线,对试样本身无破坏性,可进行无损检测。然后通过计算得到真实应力—应变率曲线。
申请公布号 CN100510689C 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN200510124587.8 申请日期 2005.12.20
申请人 西安交通大学 发明人 黄平;王飞;徐可为
分类号 G01N3/28(2006.01)I;G01N3/34(2006.01)I;G06F19/00(2006.01)I 主分类号 G01N3/28(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 陈翠兰
主权项 1、测试金属薄膜室温压入蠕变性能的方法,其特征在于,按下述步骤进行:1)将金属Cu薄膜镀制在单晶硅基体上,即通过物理气相沉积、化学气相沉积或液相沉积均匀地沉积金属Cu薄膜,反应温度50℃,金属Cu薄膜的厚度为2μm;2)通过纳米压痕仪对金属Cu薄膜施加载荷,压入深度小于金属薄膜厚度的1/10,固定加载应变率为0.1s<sup>-1</sup>,在达到最大压入深度后保持载荷不变,保载时间为100s,共测15个点;3)根据纳米压痕仪给出的位移—载荷曲线,按照公式(1)和(2)得出真实的应力—应变率曲线,求得应力指数n=19.7,给出电子薄膜的蠕变稳定性评价:<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>&epsiv;</mi><mo>&CenterDot;</mo></mover><mo>=</mo><mi>A</mi><msup><mi>&sigma;</mi><mi>n</mi></msup><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mo>-</mo><mi>Q</mi><mo>/</mo><mi>RT</mi><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow></math>]]></maths><img file="C200510124587C00022.GIF" wi="181" he="48" />h(t)=h<sub>i</sub>+a(t-t<sub>i</sub>)<sup>1/2</sup>+b(t-t<sub>i</sub>)<sup>1/4</sup>+c(t-t<sub>i</sub>)<sup>1/8</sup>          (2)h<sub>i</sub>=208.62325,t<sub>i</sub>=166.76,a=-1.84563,b=25.72771,c=-23.98786,其中<img file="C200510124587C00023.GIF" wi="22" he="36" />和σ分别为应变率和应力,A是材料拟合系数,R为气体常数8.31J/molK,Q是激活能,n为应力指数即1/m,m为蠕变敏感系数,h(t)为瞬时的压入深度,a、b和c为拟合系数。
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