双栅极非挥发性储存单元、阵列及制造方法与操作方法

摘要

一种储存单元及包括多个此等储存单元的阵列，以及此等储存单元的制造方法及此等储存单元的操作方法，其中储存单元包括半导体基底，其具有被通道区域分离的源极区与漏极区；第一栅极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近源极区；以及第二栅极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近漏极区，其中第一栅极与第二栅极被第一纳米空间分离。

主权项

1. 一种储存单元，其特征在于，包括：一半导体基底，其具有被一通道区域分离的一源极区与一漏极区；一电荷捕捉结构，其设置于所述半导体基底的所述通道区域上方，其中所述电荷捕捉结构包括被一第二纳米空间分离的两个分离电荷捕捉区，其中一电荷捕捉区邻近所述源极区，而另一电荷捕捉区邻近所述漏极区；一第一栅极，其设置于所述电荷捕捉结构上方并邻近所述源极区；以及一第二栅极，其设置于所述电荷捕捉结构上方并邻近所述漏极区；其中所述第一栅极与所述第二栅极被一第一纳米空间分离。