栈式1T-n存储单元结构

摘要

本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T-1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T-1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：第一访问晶体管；多个第一存储单元，所述每个第一存储单元都与存储单元的各自平面相关联；和多个第一读出线，所述每个第一读出线都分别与所述多个存储单元耦合，所述多个第一读出线通过所述第一访问晶体管与相同的位线电耦合。