| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器通过在凸面上形成多个微透镜并形成挡光层以去除各滤色镜之间的空间来放大真实图像的范围并避免相邻像素之间的干扰。该CMOS图像传感器包括光电二极管、第一平坦化层、R、G、B滤色层、第二平坦化层、孔、挡光层和多个微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN100511695C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200610170197.9 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 朴东彬 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1. 一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，包括：多个光电二极管，其形成在半导体衬底的表面上；第一平坦化层，其形成在具有所述光电二极管的该半导体衬底的整个表面上；滤色层，其形成在该第一平坦化层上以对应于各光电二极管，并且各所述滤色层之间具有预定间隔；第二平坦化层，其以凸形形成在具有所述滤色层的该半导体衬底的整个表面上；以及多个微透镜，其形成在该第二平坦化层上以对应于各所述滤色层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||