| 发明名称 | 半导体器件及其构建方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其构建方法。在具有位于将要连接至再布线层布线的凸点下方的最上层布线的半导体器件中，形成最上层布线，使得覆盖最上层布线的保护膜的表面在凸点下方没有凹凸。 | ||
| 申请公布号 | CN100511660C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200610148648.9 | 申请日期 | 2004.01.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 伊势田泰永;金泽秀树 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张 波 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：最上层布线，形成在半导体衬底上；再布线层，其形成来通过一保护膜连接所述最上层布线；以及连接所述再布线层的凸点，其中所述凸点在所述最上层布线的边缘上方形成，并定位在与该最上层布线的节点电势相同的再布线层节点中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||