具有嵌位载流子密度的半导体光器件

摘要

本发明涉及用于光信号放大或者光信号的相位调制的半导体器件领域。具体地，本发明公开了具有嵌位载流子密度的半导体光器件。所述器件基本上在于三个原理：该器件的有源区(1)具有量子点结构，该结构的原子拥有称为基态的第一能量过渡态以及称为激发态的第二能量过渡态；有源区放置在结构化的谐振腔中，以便在对应于基态的第一波长处谐振；以及流经有源区的电流大于基态的饱和电流，以便允许在对应于激发态的第二波长处振荡。利用本发明的器件可以获得恒定增益。另外，利用本发明的器件可以对光信号进行独立地幅度调制和相位调制。

主权项

1. 一种半导体光放大器，用于放大可变幅度的光信号，所述放大器受电流发生器控制并且包括至少一个具有量子点结构的有源区，所述结构的原子拥有称为基态的第一能量过渡态和称为激发态的第二能量过渡态，其特征在于：所述有源区放置在结构化的谐振腔中，以便在对应于所述基态的第一波长处谐振，所述电流发生器供给比所述基态的饱和电流大并且恒定的电流，所述光信号的波长比所述第一波长大。