| 发明名称 | 高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法。该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成。具体工艺参数：在真空3×10<sup>-3</sup>Pa下进行，溅射真空为5×10<sup>-1</sup>Pa，溅射电压为300～400V，溅射电流为0.1～0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射时间1～3h。本发明获得均匀一致的膜层，高阻值的金属膜电阻器膜层很薄，使每个基体获得均匀的膜层，使阻值和技术性能达到较好的一致性。生产的高阻值电阻器稳定性好、精度高，电阻温度系数小。 | ||
| 申请公布号 | CN101477858A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200810154522.1 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 张之圣;王秀宇;邹强;白天;潘有桐;常力峰;潘有胜 |
| 分类号 | H01C7/00(2006.01)I;H01C17/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人 | 王小静 |
| 主权项 | 1、一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器，其特征在于该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成，具体操作是由恒流电源供给的小电流进行长时间的慢溅射。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||