发明名称 |
利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法,可应用于需要防水附着的各种铜表面。属于材料的表面物理化学领域。现有技术主要是利用低表面能的有机化学试剂修饰,达到超疏水的目的。然而,这种用有机化学试剂进行表面处理的方法成本较高,工艺复杂,对环境也有影响。本发明提供了一种简单的低压氧化法,在铜表面生成具有双层微纳结构的氧化铜薄膜,从而达到超疏水状态。这就免去了低表面能有机化学试剂修饰的过程,节省了制作成本,简化了工艺,且减少了有机废物的排放。 |
申请公布号 |
CN101476121A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
申请号 |
CN200910077832.2 |
申请日期 |
2009.01.23 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
王波;裴明德;孙宏达;张雪红;宋雪梅;严辉;朱满康;汪浩;王如志;侯育冬;张铭 |
分类号 |
C23C22/63(2006.01)I;C23C22/82(2006.01)I |
主分类号 |
C23C22/63(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
魏聿珠 |
主权项 |
1、利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)配制(1~3摩尔/升)KOH和(0.05~0.25摩尔/升)K<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>8</sub>的水溶液,将两种溶液按照化学反应方程式:<img file="A200910077832C00021.GIF" wi="1010" he="58" />的配比混合后,加热至60℃保温,将清洁的铜片放入配好的溶液中,使其表面反应生成氢氧化铜薄膜,反应10~30min后,拿出来冷却,然后用去粒子水冲洗干净,自然晾干;(2)再将步骤(1)处理后的铜片放入石英舟中,放入真空室,将真空室抽至0.5Pa~20Pa的低气压范围,将铜片加热到120℃,保温1.5h~5h,然后再冷却到室温;这个过程中,发生的化学反应式是:<img file="A200910077832C00022.GIF" wi="623" he="56" /> |
地址 |
100124北京市朝阳区平乐园100号 |