氧化铪铝介质薄膜

摘要

一种含HfAlO₃的介质薄膜和一种制作这一类介质薄膜的方法生产出了一种可靠的栅介质，它具有的等效氧化物厚度比采用SiO₂可能得到的要薄。栅介质通过采用铪顺序和铝顺序的原子层沉积法形成。铪顺序采用了HfCl₄和水蒸气。铝顺序采用了或者是三甲基铝，Al(CH₃)₃，或者DMEAA，一种铝烷(AlH₃)和二甲基乙胺[N(CH₃)₂(C₂H₅)]的加成物，加上蒸馏水蒸气。这些含HfAlO₃薄膜的栅介质均是热力稳定的，以致这HfAlO₃薄膜在加工过程中与硅衬底或其它结构有极微弱的反应。

主权项

1. 一种形成电子器件的方法，它包含：通过原子层沉积形成氧化铪铝层，其包括：将含铪前体脉冲输入装有衬底的反应室，在含铪前体脉冲输送期间反应室基本上没有其它反应前体，含铪前体具有不含铝的组成；和将含铝前体脉冲输入反应室，在含铝前体脉冲输送期间反应室基本上没有其它反应前体，含铝前体具有不含铪的组成，其中，脉冲输送含铪前体和脉冲输送含铝前体是在原子层沉积循环中进行的，从而形成氧化铪铝，并且在脉冲输送含铪前体后和在脉冲输送含铝前体后，反应室进行选自如下的过程：抽空反应室、用吹洗气体吹洗反应室以及抽空和吹洗反应室的结合。