半导体芯片的制造方法和半导体芯片

摘要

用于在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀的制造方法中，在任意时间在半导体晶片上执行各向同性刻蚀。在所述第一表面中，将绝缘膜放置在划分区中。第二表面与第一表面相对，并且在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，从而通过去除与划分区相对应的部分、并且随后继续在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面进行充电的状态下执行等离子体刻蚀来从刻蚀底部部分上暴露出绝缘膜，从而去除了器件形成区中与绝缘膜接触的角落部分。

主权项

1. 一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，在所述第一表面上形成在通过划分区限定的多个器件形成区中放置的半导体器件和在划分区中放置的绝缘膜，并且将保护片粘贴到所述第一表面上，以及在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，从而去除了与划分区相对应的部分，并且将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来；通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下执行等离子体刻蚀，去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分；以及随后，去除已暴露的绝缘膜，使得将器件形成区分离为单独的半导体芯片，从而制造了每一个均包括个体化半导体器件的半导体芯片，其中，利用在暴露绝缘膜、去除第一表面一侧上的角落部分、或者去除绝缘膜之前或之后的任意时间放置的掩模，从半导体晶片或单独的半导体芯片上的第二表面另外执行各向同性等离子体刻蚀。