发明名称 | 三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置 | ||
摘要 | 一种装置,其具备:向内部导入四氯硅烷和氢,通过在800℃以上进行还原反应,生成三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体的反应室2;将反应室2内部的反应生成气体导出到外部的反应生成气体导出设备4;以及向反应生成气体导出设备4所导出的反应生成气体中混入氢、四氯硅烷或氯化氢,来冷却反应生成气体的冷却气体导入设备5。 | ||
申请公布号 | CN101479192A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
申请号 | CN200780024481.8 | 申请日期 | 2007.10.26 |
申请人 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 发明人 | 水岛一树;漆原诚 |
分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴 娟;李平英 |
主权项 | 1. 三氯硅烷的制备方法,该制备方法具有以下步骤:将四氯硅烷和氢导入到反应室内,使之在800℃以上的温度下进行反应,生成包含三氯硅烷和氯化氢的混合气体的步骤;以及由上述反应室导出上述混合气体时,向该混合气体中导入以氢、四氯硅烷或氯化氢中的至少一种为主体的冷却气体来冷却该混合气体的步骤。 | ||
地址 | 日本东京都 |