发明名称 发射辐射的芯片和发射辐射的元件
摘要 本发明涉及一个发射辐射的芯片(2),该芯片具有:一个辐射能穿透的窗口(5),该窗口具有一个折射率n<sub>F</sub>和一个主面(19);一个多层结构(9),该多层结构含有一层产生辐射的有源层(10)并邻接窗口(5)的主面(19);和一种包围窗口(5)的、具有折射率n<sub>0</sub>的、辐射能穿透的介质。窗口(5)具有至少两个界定面(6,7),这两个界定面夹成一个β角,该角满足不等式:90°-α<sub>t</sub><β<2α<sub>t</sub>式中α<sub>t</sub>=arcsin(n<sub>0</sub>/n<sub>F</sub>)此外,本发明涉及一种发射辐射的元件,该元件含有这样一个芯片(2)。
申请公布号 CN100511730C 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN02815779.6 申请日期 2002.06.05
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 J·鲍尔;D·埃塞特;V·赫尔勒
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 苏 娟;赵 辛
主权项 1. 发射辐射的芯片(2),具有:一个辐射能穿透的窗口(5),该窗口具有一个折射率nF和一个主面(19),一个多层结构,该多层结构含有一层产生辐射的有源层(10)并布置在窗口(5)的主面(19)上,其中窗口(5)被一种辐射能穿透的介质包围,该介质的折射率n0小于该窗口的折射率nF,其特征为,窗口(5)朝辐射能穿透的介质方向至少被两个面(6,7)界定,这两个面夹成一个β角,该角满足下列关系:90°-αt<β<2αt式中的αt用下式计算:αt=arcsin(n0/nF).
地址 德国雷根斯堡