| 发明名称 | InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，在离子液体中，加入氮源及相应的铟源、镓源、铝源，在温度180～400℃下反应10h以上，过滤，有机溶剂洗涤、干燥，相应的获得InN、GaN、AlN低维纳米结构材料。整个合成过程简单、成本低廉、合成过程高效，所合成的InN、GaN以及AlN纳米结构质量非常高，适合工业化大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101477950A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200910028440.7 | 申请日期 | 2009.01.20 |
| 申请人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 耿秀梅;刘海滨;程国胜 |
| 分类号 | H01L21/208(2006.01)I;C23C18/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/208(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈忠辉 |
| 主权项 | 1. InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：在离子液体中，加入氮源及相应的铟源、镓源、铝源，在温度180～400℃下反应10h以上，过滤，有机溶剂洗涤、干燥，相应的获得InN、GaN、AlN低维纳米结构材料。 | ||
| 地址 | 215125江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||