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1、一种在基材上沉积含有IIIA族金属的膜的方法，包括以下步骤：a)将具有分子式R3M的IIIA族金属化合物以气相传输至含有基材的沉积室中，其中M是IIIA族金属，各R独立地是(C1-C10)有机基或氢；b)将催化量的催化剂化合物以气相传输至含有基材的沉积室中；c)将VA族气态化合物传输至含有基材的沉积室中；d)在沉积室中分解IIIA族金属化合物和VA族气态化合物；和e)在基材上沉积包含IIIA族金属的膜，其中催化剂化合物催化了VA族气态化合物的分解，所述催化剂化合物选自含有VA族元素的催化剂化合物、分子式为R1aMYb的催化剂化合物、二乙基铍、正丁基锂、二(正丁基)镁、二(茂基)镁、二(乙基茂基)镍、四氯化钛、RuCp2、Mo(EtBz)2、CoCp2、Ba(nPrMe4Cp)2、Ca(Me5Cp)2、Cu(TMHD)2、CrCp2、ErCp3、FeCp2、Me2Au(acac)、LaCp3、MnCp2、MoCp2、OsCp2、Me3Pd(MeCp)、Me3Pt(MeCp)、Rh(acac)2、(hfacac)AgVTES、Sr(nPrMe4Cp)2、Sr(hfacac)、(iPrCp)2WH2、VCp2、V(EtCp)2和Y(nBuCp)3，其中M是IIIA族金属，各R1独立地选自(C1-C10)有机基和氢，各Y独立地选自卤素和氢，a是从0到2的整数，b是1-3的整数，且a+b＝3，Me＝甲基，Et＝乙基，iPr＝异丙基，nPr＝正丙基，nBu＝正丁基，Bz＝苯，Cp＝茂基，VTES＝乙烯基三乙基硅烷，acac＝乙酰基丙酮，hfacac＝六氟乙酰基丙酮，和TMHD＝四甲基庚二酮根合。 |
