| 发明名称 | 具有锥型沟道的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体的方法，包括：刻蚀衬底至预定深度以形成具有锥形边缘的上沟道；刻蚀上沟道下方的衬底以形成具有大约垂直边缘的下沟道；形成位于上和下沟道内的期间隔离层；和刻蚀由上和下沟道限定的衬底有源区域至预定深度，以形成用于栅极的凹陷图案。 | ||
| 申请公布号 | CN100511644C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200610090342.2 | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵瑢泰;金殷美 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，包括：刻蚀衬底至预定深度以形成具有锥形边缘的上沟道；刻蚀上沟道下方的衬底以形成具有大约垂直边缘的下沟道；刻蚀下沟道下方的衬底以形成具有锥形边缘的第三沟道；形成位于上和下沟道，以及第三沟道内的器件隔离层；和刻蚀由上和下沟道，以及第三沟道限定的衬底有源区域至预定深度，以形成用于栅极的凹陷图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||