薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体元件，即使其衬底受热收缩影响极大，例如其衬底为大尺寸衬底，该元件的工作也不受影响。此外，本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外，即使出现轻微的掩模版偏移时，半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些，形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域，该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外，形成对应于各个栅电极的源区和漏区，使得电流流过各个栅电板相应沟道区的方向相反。另外，电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

主权项

1. 一种晶体管，包含：第一半导体岛；第二半导体岛；在第一半导体岛上的第一栅电极，在第一栅电极与第一半导体岛之间插有绝缘膜；以及在第二半导体岛上的第二栅电极，在第二栅电极与第二半导体岛之间插有绝缘膜，其中第一半导体岛包含第一源区、第一漏区、以及位于第一源区和第一漏区之间的第一沟道区，其中第二半导体岛包含第二源区、第二漏区、以及位于第二源区和第二漏区之间的第二沟道区，其中第一源区和第二源区互相电连接，其中第一漏区和第二漏区互相电连接，其中流过第一半导体岛的第一沟道区的第一电流方向与流过第二半导体岛的第二沟道区的第二电流方向相反。