| 发明名称 | 用于制造横向半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种横向结半导体器件及其制造方法，该方法包括步骤：形成具有叠层的半导体结构(2)，该叠层通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料形成，其中第一层(4)中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，并从第一层(4)选择性去除半导体材料至一个沿第一方向变化的深度，该第一方向基本上平行于结构中的层平面，以提供沿第一方向的在有源层(8)中第一极性的电荷载流子的浓度梯度。一种光子源，其包含所述横向结半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100511884C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200580026962.3 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 秦内蒂克有限公司 | 发明人 | G·R·纳什;J·H·杰斐森;K·J·纳什 |
| 分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁 永 |
| 主权项 | 1、一种用于制造横向结半导体器件的方法，包括步骤：(i)形成具有叠层的半导体结构(2)，其中叠层是通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料(4，6，8)形成，所述多层半导体材料的第一层(4)中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，和(ii)从所述第一层(4)选择性去除半导体材料至一个沿第一方向变化的深度，该第一方向基本上平行于结构中的层平面，以提供沿第一方向在所述多层半导体材料的有源层(8)中的第一极性的电荷载流子的浓度梯度；其中从所述第一层(4)选择性去除半导体材料的步骤包括沿第一方向使所述第一层(4)的厚度逐渐变细的过程。 | ||
| 地址 | 英国伦敦 | ||