| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件。半导体器件包括衬底、栅极、隔离物以及源极和漏极。栅极由衬底上的硅化物形成。隔离物形成在栅极侧壁上。源极和漏极形成在衬底上。栅极比隔离物更为突出。 | ||
| 申请公布号 | CN100511708C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200610154168.3 | 申请日期 | 2006.09.15 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 李周炫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上由硅化物形成的栅极；形成在栅极侧壁上的隔离物；和形成在衬底上的源极和漏极，所述源极和漏极位于栅极和隔离物的两侧，其中栅极比隔离物更为突出。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||