利用弯液面的蚀刻后晶片表面清洁

摘要

本发明揭示了一种半导体晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下来，提供氧化剂溶液到晶片表面。氧化剂溶液在残留污染物材料上形成氧化层。氧化剂溶液再从晶片表面去除掉，接着，提供第二清洗溶液到晶片表面。第二清洗溶液从晶片表面去除。所述第二清洗溶液配置为能充分去除氧化层与残留污染物。

主权项

1. 一种清洗半导体晶片的方法，包括：提供包括多个源入口和多个源出口的接近头；将接近头设在靠近晶片表面处；通过所述多个源入口将氧化剂溶液提供到晶片表面，所述氧化剂溶液在晶片表面上的一种或多种污染物材料上形成氧化层；通过所述多个源出口将氧化剂溶液从晶片表面去除；实施去离子水冲洗作业；通过所述多个源入口将清洗溶液提供到晶片表面；以及通过所述多个源出口将清洗溶液从晶片表面去除，该清洗溶液限定为能将晶片表面上的所述氧化层随同一种或多种污染物材料充分去除。