制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成旋涂碳膜，所述旋涂碳膜有利于低温烘烤工序，并可防止在形成位线时竖直晶体管崩塌，从而提供更简单的制造方法并提高制造良率。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板中形成竖直晶体管；形成填充所述竖直晶体管之间的间隙的旋涂碳膜；在所述半导体基板上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案也位于所述竖直晶体管及所述旋涂碳膜上方；利用所述硬掩模图案作为掩模来蚀刻所述旋涂碳膜，以使位于所述旋涂碳膜底部的半导体基板露出；移除所述硬掩模图案；蚀刻露出的半导体基板，以形成位线沟槽；以及执行植入工序，以在所述半导体基板的一部分中形成位线，在所述半导体基板的所述一部分中，所述位线沟槽与所述竖直晶体管相接触。