| 发明名称 | 一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法，该方法是先将镀膜外延圆硅片按不同的镀层分类后，再按不同厚度分档，然后置于常规的硅片研磨机研磨至表面镀层磨完为止，之后，将倒角砂轮装在电机上打磨边缘镀层至磨完为止。本发明由于采用机械进行镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理，与原来采用酸液腐蚀的化学方法截然不同，生产成本低，且能提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101474773A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200910095530.8 | 申请日期 | 2009.01.19 |
| 申请人 | 郜勇军 | 发明人 | 郜勇军;方建和 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01)I;B24B9/06(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天正专利事务所有限公司 | 代理人 | 舒 良 |
| 主权项 | 1、一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法，其特征在于先将镀膜外延圆硅片按不同的镀层分类后，再按不同厚度分档，然后置于常规的硅片研磨机研磨至表面镀层磨完为止，之后，将倒角砂轮装在电机上打磨边缘镀层至磨完为止。 | ||
| 地址 | 324300浙江省开化县工业园区园三路1号 | ||