发明名称 |
MEMS水平谐振式磁强计 |
摘要 |
本发明公开了传感器制造技术领域中的一种MEMS水平谐振式磁强计。技术方案是,MEMS水平谐振式磁强计的表头芯片由硅片和玻璃基底组成,硅片通过硅-玻璃阳极键合方式制作在玻璃基底表面;硅片由可动结构和固定结构组成,可动结构包括3个谐振梁和2或4组对称的梳齿电容极板;固定结构包括2或4组固定于玻璃基底的梳齿电容极板;谐振梁上表面制作有SiNx绝缘层;SiNx绝缘层上表面制作有金属导线层;玻璃基底表面制作10个金属极板;金属极板的宽大部分压焊引出10根电容检测导线;金属导线层两侧宽大部分通过压焊引出驱动电流导线。本发明的表头芯片内部结构层次分明,便于加工;并且具有更好的线性度和可扩展性。 |
申请公布号 |
CN101475139A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
申请号 |
CN200910077171.3 |
申请日期 |
2009.01.19 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
尤政;胡穆之;杨建中 |
分类号 |
B81C5/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G01R33/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C5/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
童晓琳 |
主权项 |
1、一种MEMS水平谐振式磁强计,包含表头芯片,其特征是所述表头芯片由硅片和玻璃基底通过硅-玻璃阳极键合方式制作在玻璃基底表面;所述硅片由可动结构和固定结构组成,其中,可动结构包括3个谐振梁和2或4组对称的梳齿电容极板;固定结构包括2或4组固定于玻璃基底的梳齿电容极板;所述谐振梁上表面制作有和谐振梁形状相同的SiNx绝缘层;所述SiNx绝缘层上表面制作有和SiNx绝缘层形状相同的金属导线层;所述可动结构的梳齿电容极板与所述固定结构的梳齿电容极板一一对应,构成差动电容;所述玻璃基底表面通过溅射方式制作10个金属极板用作检测电容的导线引脚;所述金属极板的宽大部分压焊引出10根电容检测导线,用于对电容变化量进行检测;所述金属导线层两侧宽大部分通过压焊引出驱动电流导线,用于通过驱动电流。 |
地址 |
100084北京市100084-82信箱 |