发明名称 一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法及其光刻系统
摘要 一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法及其光刻系统,其特征是使用由一个水平光栅和一个垂直光栅组成的光栅组合和转动光阑相配合,为成像干涉光刻系统中的掩模提供Y方向倾斜照明和X方向倾斜照明,使传统成像干涉光刻在三次曝光之间需调整光路系统的复杂、费时工序得到简化,在整个曝光过程中,只须转动光阑两次,就可完成成像干涉干光刻所需的三次曝光过程,系统光路简单、紧凑,调节光路容易,缩短曝光时间,提高成像干涉光刻曝光效率,有利于成像干涉光刻的实用化。
申请公布号 CN100510964C 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN200410009403.9 申请日期 2004.08.05
申请人 中国科学院光电技术研究所 发明人 张锦;冯伯儒;刘娟
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人 刘秀娟;成金玉
主权项 1、一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法,其特征在于包括下列步骤:(1)将一个由水平光栅和垂直光栅组成的光栅组合放置于扩束准直器和掩模之间,用于分别提供Y方向倾斜照明光束和X方向倾斜照明光束;(2)再将转动光阑置于上述光栅组合之前;(3)当转动光阑处于初始位置0°时,使直接通过转动光阑和光栅组合上的透光孔的平行光束垂直照射掩模,并由成像光学系统成像到抗蚀剂基片上,实现掩模图形低频分量曝光;(4)转动光阑从初始位置0°转动90°,使透过光阑透光孔并经其后的垂直光栅衍射的平行光束X方向倾斜照射掩模,并由成像光学系统成像到抗蚀剂基片上,实现X向高频分量曝光;(5)再将转动光阑从初始位置0°反向转动90°,使透过光阑透光孔并经其后的水平光栅衍射的平行光束Y方向倾斜照射掩模,并由成像光学系统成像到抗蚀剂基片上,实现Y向高频分量曝光;由上述(3),(4)和(5)分别实现了对掩模的低频分量曝光、掩模的X向高频分量曝光和掩模的Y向高频分量曝光,从而完成成像干涉光刻所需的三次曝光,在所述三次曝光期间只转动两次转动光阑,而无须重新调整光路系统和对准,就可完成成像干涉光刻所需的三次曝光。
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