发明名称 |
具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法 |
摘要 |
一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤:将基板放置在处理室中;将烃源导入处理室;将重稀有气体导入处理室;以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组,并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤,其中烃源及稀有气体的流动并终止,并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。 |
申请公布号 |
CN101480110A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
申请号 |
CN200780024531.2 |
申请日期 |
2007.06.22 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
D·帕德希;H-C·哈;S·拉蒂;D·R·威蒂;C·陈;S·帕克;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;H·姆塞德 |
分类号 |
H05H1/24(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/24(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陆 嘉 |
主权项 |
1. 一种在基板上形成无定形碳层的方法,包括:将基板放置在基板处理室中;将烃源导入该处理室;将稀有气体导入该处理室,而该稀有气体选自由氩气、氪气、氙气及其组合所组成的群组,其中该稀有气体的摩尔流速大于该烃源的摩尔流速;在该处理室中产生等离子体;以及在该基板上形成无定形碳层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |