| 发明名称 | 一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法，用于提高多晶硅控档片的利用率。具体技术方案包括：预先在多晶硅控档片表面生成氮化硅层，该回收方法包括：将使用后在氮化硅层之上沉积有多晶硅层的控档片放入氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液中，去除沉积在氮化硅层之上的多晶硅层。该技术方案中，氮化硅层在多晶硅控档片的回收过程中起到很好的保护作用，避免多晶硅控档片在上述混酸中被腐蚀，从而提高了多晶硅控档片的利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN101477946A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200810240169.9 | 申请日期 | 2008.12.18 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 徐威;黄茹 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;B09B3/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)N | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅控档片的回收方法，其特征在于，预先在所述控档片表面生成氮化硅层；所述回收方法包括：将使用后在所述氮化硅层之上沉积有多晶硅层的控档片放入氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液中，去除沉积在所述氮化硅层之上的多晶硅层。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||