发明名称 半导体元件及其制造方法,和半导体器件及其制造方法
摘要 用能使组件成形的电解镀敷法,将由铜等形成的柱状块,经过晶片上的接合膜和粘接膜,形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜,按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘,焊料将沾湿于柱状块上表面整个区域,和侧表面的部分区域。因此能形成稳定而可靠的连接。另外,由于柱状块不熔化,半导体线路板和组装线路板之间的距离不因焊料而变窄。
申请公布号 CN100511658C 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN03104240.6 申请日期 2003.02.08
申请人 日本电气株式会社 发明人 西山知宏;田子雅基
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱进桂
主权项 1. 一种半导体元件,其特征在于:所述半导体元件包括:金属柱状凸起,其用作块,形成在半导体衬底上的电极上并暴露在所述半导体衬底上;其中所述金属柱状凸起的上表面部分或所述金属柱状凸起的侧表面上部和上表面被划分为在焊接时由焊料沾湿的区域,而靠近所述电极的所述金属柱状凸起的侧表面下部被划分为几乎不被焊料沾湿的区域;防沾湿膜,其至少形成在所述金属柱状凸起的侧表面的靠近所述电极的部分上。
地址 日本东京都