| 发明名称 |
Trench MOSFET technology for DC-DC converter applications |
| 摘要 |
A trench power semiconductor device including a recessed termination structure.
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| 申请公布号 |
US7557395(B2) |
申请公布日期 |
2009.07.07 |
| 申请号 |
US20040766465 |
申请日期 |
2004.01.27 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
MA LING;AMALI ADAM;KIYAWAT SIDDHARTH;MIRCHANDANI ASHITA;HE DONALD;THAPAR NARESH;SODHI RITU;SPRING KYLE;KINZER DANIEL |
| 分类号 |
H01L29/76;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78;H01M;H02M3/158 |
主分类号 |
H01L29/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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