Method for preparing Single-Electron Logic Transistor with Dual Gates operating at Room Temperature,申请号KR20060098330-传众专利搜索

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发明名称	Method for preparing Single-Electron Logic Transistor with Dual Gates operating at Room Temperature
摘要
申请公布号	KR100905869(B1)	申请公布日期	2009.07.03
申请号	KR20060098330	申请日期	2006.10.10
申请人		发明人
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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