| 发明名称 |
Verdrahtungsstruktur eines Halbleiterbaulementes und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19521150(B4) |
申请公布日期 |
2009.07.02 |
| 申请号 |
DE1995121150 |
申请日期 |
1995.06.09 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
LEE, SANG-IN;HA, SUN-HO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L23/522;H01L21/285;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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