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Es werden Bauelemente, insbesondere Dioden, mit dauerhafter Verbindung zwischen wenigstens einem Halbeiterchip (3), beispielsweise einem Siliziumhalbleiterchip, und wenigstens einem weiteren Bestandteil des Bauelements, beispielsweise ein Kupferteil, beschrieben, bei denen die Verbindung als bleifreie, hochtemperaturfeste großflächige Verbindung (4, 5) des Halbleiterchips (3) mit dem weiteren Bestandteil (1, 6) des Bauelements ausgestaltet ist und die Verbindung (4, 5) durch wenigstens eine, insbesondere zwei in Niedertemperaturverbindungstechnik (NTV-Technik) hergestellte NTV-Schichten gebildet wird. Zur Reduzierung der mechanischen Spannungen sind die NTV-Schichten (4, 5) speziell ausgestaltet.
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