| 发明名称 |
Spannungsversorgungsschaltung mit niedrigem Leckstrom für eine integrierte Schaltung zur Verwendung bei einem Fortgeschrittenen CMOS-Prozess |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10084545(B4) |
申请公布日期 |
2009.07.02 |
| 申请号 |
DE20001084545 |
申请日期 |
2000.04.20 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
MCDANIEL, BART R.;CLARK, LAWRENCE T. |
| 分类号 |
H03K19/094;G11C11/407;G11C11/412;G11C11/413;G11C11/417;G11C11/418;H03K19/00;H03K19/0948 |
主分类号 |
H03K19/094 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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