Verringerung der Erzeugung von Ladungseinfangstellen in Gatedielektrika in MOS-Transistoren durch Ausführen einer Wasserstoffbehandlung

摘要

Durch Ausführen einer Wärmebehandlung auf der Grundlage einer Wasserstoffumgebung können freigelegte siliziumenthaltende Oberflächenbereiche vor der Herstellung von Gatedielektrika präpariert werden. Somit können die Grenzflächenqualität und die Materialeigenschaften der Gatedielektrika verbessert werden, wodurch die Effekte einer negativen Vorspannungstemperaturinstabilität in stark größenreduzierten p-Kanaltransistoren reduziert werden.