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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erfassung von Millimeterwellen mit mindestens einem Feldeffekttransistor, der eine Source, einen Drain, ein Gate, einen Gate-Source-Kontakt, einen Source-Drain-Kanal und einen Gate-Drain-Kontakt aufweist. Gegenüber einer solchen Vorrichtung liegt der vorliegenden Erfindung unter anderem die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung bereitzustellen, welche es ermöglicht, einen Feldeffekttransistor zur Erfassung der Leistung und/oder der Phase elektromagnetischer Strahlung im THz-Frequenzbereich bereitzustellen. Um eine solche Vorrichtung zu schaffen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, eine Vorrichtung bereitzustellen, die eine Antennenstruktur aufweist, wobei der Feldeffekttransistor so mit der Antennenstruktur verbunden ist, daß ein von der Antennenstruktur empfangenes elektromagnetisches Signal im THz-Frequenzbereich über den Gate-Source-Kontakt in den Feldeffekttransistor eingespeist wird und wobei der Feldeffekttransistor und die Antennenstruktur zusammen auf einem einzigen Substrat angeordnet sind.
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