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发明名称 Verfahren zum Aufwachsenlassen von Halbleiter-Heterostrukturen auf der Basis von Galliumnitrid
摘要
申请公布号 DE112007000313(T5) 申请公布日期 2009.07.02
申请号 DE20071100313T 申请日期 2007.02.06
申请人 ABRAMOV, VLADIMIR SEMENOVICH;SEOUL SEMICONDUCTOR CO. LTD. 发明人 SOSHCHIN, NAUM PETROVICH;SUSHKOV, VALERIY PETROVICH;SHCHERBAKOV, NIKOLAY VALENTINOVICH;ALENKOV, VLADIMIR VLADIMIROVICH;SAKHAROV, SERGEI ALEKSANDROVICH;GORBYLEV, VLADIMIR ALEKSANDROVICH
分类号 C30B25/18;H01L33/04;C30B29/38;H01L33/00;H01L33/32 主分类号 C30B25/18
代理机构 代理人
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