| 发明名称 | 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>气体和C<sub>6</sub>F<sub>6</sub>气体、且C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>气体的流量相对于C<sub>6</sub>F<sub>6</sub>气体的流量的比(C<sub>4</sub>F<sub>6</sub>气体流量/C<sub>6</sub>F<sub>6</sub>气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。 | ||
| 申请公布号 | CN101471257A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810186171.2 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 田中谕志;大矢欣伸;山崎文生 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1、一种等离子体蚀刻方法，其是通过蚀刻工艺在形成于基板上的绝缘膜层上形成深度对开口宽度的比为20以上的孔形状的等离子体蚀刻方法，该等离子体蚀刻方法的特征在于：使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，在所述绝缘膜层上形成所述孔形状。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||