发明名称 | 一种双极器件隔离的制造方法 | ||
摘要 | 一种双极器件隔离的制造方法:在P或N型衬底上,生长一层薄外延;然后淀积掩蔽层,以形成开口,利用RIE等离子刻蚀的方法在外延上蚀刻成尺寸、深度均合适的沟槽,进行穿通阻断注入;多晶淀积,然后去除掩蔽层上的多余的多晶,而在外延开槽的边缘留有多晶;生长绝缘介质,使得沟槽处与掩蔽层等高,多晶作为保护在介质生长中被氧化,从而确保外延同沟槽界面的平整,最后去除掩蔽层,完成整个过程。本发明不需使用CMP技术,通过材料特性实现整体平整,以降低制造成本。另外,利用多晶同衬底结构相似的特点,用多晶作为衬底同绝缘介质之间的缓冲层,一来填补等离子刻蚀的非绝对各向同性造成的沟槽边缘的硅质损失,二来参与后期反应生成绝缘介质,以减少掩蔽层的翻翘。 | ||
申请公布号 | CN100508160C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | CN200410099044.0 | 申请日期 | 2004.12.27 |
申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 楼颖颖 |
分类号 | H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 章蔚强 |
主权项 | 1. 一种双极器件隔离的制造方法,包括下列步骤:1)首先,在P或N型衬底上,生长一层薄外延层;2)然后,淀积掩蔽层,以形成开口,利用RIE等离子刻蚀的方法在该外延层上蚀刻成尺寸、深度均合适的沟槽,进行穿通阻断注入,并推进;3)接着,多晶淀积,然后去除掩蔽层上的多余的多晶,由于RIE等离子刻蚀有一定的各向同性,在外延层开槽的边缘留有多晶;4)最后,生长绝缘介质,使得沟槽处与掩蔽层等高,多晶作为保护在介质生长中被氧化,从而确保外延层同沟槽界面的平整,最后去除掩蔽层,完成整个过程。 | ||
地址 | 200233上海市宜山路810号 |