| 发明名称 | 制造具有双栅结构的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造具有双栅结构的半导体器件的方法，包括：在不同的区域形成P型和N型栅硅层；向P型和N型栅硅层中注入P型和N型杂质；在P型和N型栅硅层上淀积一层金属膜；利用具有栅极图形的掩膜对金属膜形成图形；利用掩膜和形成图形的金属膜对P型和N型栅硅层进行形成图形，以留下P型和N型栅硅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100508138C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200510068751.8 | 申请日期 | 2005.04.28 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 大内雅彦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括以下连续的步骤：在硅衬底上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成硅层；从所述硅层形成P型和N型部分；把P型或N型杂质注入到所述P型和N型部分的相应部分中，所述P型和N型部分由注入掩模限定，所述P型或N型部分的相应部分之一的导电率转换为所述P型和N型部分的相应部分的另一个，使得所述P型和N型部分的相应部分具有彼此相同的导电类型；以及刻蚀具有相同导电类型的所述P型和N型部分的相应部分，以留下P型和N型栅极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||