半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括：在栅电极30上形成Co膜72的步骤，该栅电极的栅长L_g小于等于50nm；第一次热处理步骤，进行热处理，以使Co膜72和栅电极30相互反应，从而在栅电极30的上部形成CoSi膜76a；选择性蚀刻掉Co膜72未反应部分的步骤；以及第二次热处理步骤，进行热处理，以使CoSi膜76a和栅电极30相互反应，从而在栅电极30的上部形成CoSi₂膜42a，其中，在第一次热处理步骤中，形成CoSi膜76a，以使得CoSi膜76a的高度h与CoSi膜76a的宽度w之比h/w小于等于0.7。

主权项

1. 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成栅电极的步骤，该栅电极的栅长小于等于50nm；在该栅电极两侧的半导体衬底中形成源/漏扩散层的步骤；在该栅电极上形成钴膜的步骤；第一次热处理步骤，使该钴膜与该栅电极反应，以在该栅电极的上部上形成一硅化钴膜；选择性蚀刻掉该钴膜的未反应部分的步骤；以及第二次热处理步骤，使该一硅化钴膜与该栅电极反应，以在该栅电极的上部上形成二硅化钴膜，其中在该第一次热处理步骤中，形成该一硅化钴膜，以使得该一硅化钴膜的高度与该一硅化钴膜的宽度之比h/w小于等于0.7。