一种执行记忆体之操作的方法

摘要

本发明系揭露一种执行记忆体之操作的方法。该记忆胞包含一基板，一第一极性区及一第二极性区。该第一极性区及该第二极性区形成在具有一通道区域之基板上。一介电层形成于该通道区域上，以及一导电闸极形成于该介电层上。该方法包含对该导电闸极于一第一段时间内施加一第一电压，接着重复地对该导电闸极于一第二段时间内施加一第二电压。该第一电压值不同于该第二电压值。分别地对该第一极性区施加一第三电压，以及对该第二极性区施加一第四电压。