发明名称 |
具有测试结构的半导体器件以及半导体器件测试方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体器件,包括用于对半导体器件的结构的变化进行检测的测试结构(100),测试结构(100)包括:第一供电轨(110);第二供电轨(120);环形振荡器(130),耦合在第一供电轨(110)与第二供电轨(120)之间,环形振荡器(130)具有用于提供测试结果信号的输出(130);以及单独可控制的晶体管(142)的阵列(140),单独可控制的晶体管并行耦合在第一供电轨(110)与环形振荡器(130)之间。阵列(140)中各个晶体管(142)的输出电流的变化引起环形振荡器(130)中相应输出频率的变化。这给出了对前述结构变化的定性指示。通过包含基准电流源(160)能够得到更精确的结果,基准电流源(160)用于在对单独晶体管(142)的电流输出进行测量之前校准环形振荡器(130)。 |
申请公布号 |
CN101473237A |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200780022780.8 |
申请日期 |
2007.06.14 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
马塞尔·佩尔戈姆;比奥莱塔·彼得雷斯库;普鲁维·斯恩达克拉 |
分类号 |
G01R31/30(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/30(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1、一种半导体器件,包括用于对半导体器件的结构的变化进行检测的测试结构(100,200),测试结构(100,200)包括:第一供电轨(110);第二供电轨(120);环形振荡器(130),耦合在第一供电轨(110)与第二供电轨(120)之间,环形振荡器(130)具有用于提供测试结果信号的输出(130);以及单独可控制的晶体管(142)的阵列(140),其中单独可控制的晶体管(142)并行耦合在第一供电轨(110)与环形振荡器(130)之间。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |