发明名称 具有测试结构的半导体器件以及半导体器件测试方法
摘要 本发明涉及一种半导体器件,包括用于对半导体器件的结构的变化进行检测的测试结构(100),测试结构(100)包括:第一供电轨(110);第二供电轨(120);环形振荡器(130),耦合在第一供电轨(110)与第二供电轨(120)之间,环形振荡器(130)具有用于提供测试结果信号的输出(130);以及单独可控制的晶体管(142)的阵列(140),单独可控制的晶体管并行耦合在第一供电轨(110)与环形振荡器(130)之间。阵列(140)中各个晶体管(142)的输出电流的变化引起环形振荡器(130)中相应输出频率的变化。这给出了对前述结构变化的定性指示。通过包含基准电流源(160)能够得到更精确的结果,基准电流源(160)用于在对单独晶体管(142)的电流输出进行测量之前校准环形振荡器(130)。
申请公布号 CN101473237A 申请公布日期 2009.07.01
申请号 CN200780022780.8 申请日期 2007.06.14
申请人 NXP股份有限公司 发明人 马塞尔·佩尔戈姆;比奥莱塔·彼得雷斯库;普鲁维·斯恩达克拉
分类号 G01R31/30(2006.01)I 主分类号 G01R31/30(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱进桂
主权项 1、一种半导体器件,包括用于对半导体器件的结构的变化进行检测的测试结构(100,200),测试结构(100,200)包括:第一供电轨(110);第二供电轨(120);环形振荡器(130),耦合在第一供电轨(110)与第二供电轨(120)之间,环形振荡器(130)具有用于提供测试结果信号的输出(130);以及单独可控制的晶体管(142)的阵列(140),其中单独可控制的晶体管(142)并行耦合在第一供电轨(110)与环形振荡器(130)之间。
地址 荷兰艾恩德霍芬